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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
78
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
78
读取速度,GB/s
4,217.2
14.5
写入速度,GB/s
1,857.7
7.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1602
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
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