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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
15.2
写入速度,GB/s
1,857.7
11.8
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2913
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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