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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

总分
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

总分
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

差异 规格 评论

差异

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB 需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 14.2
    测试中的平均数值
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB 需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 53
    左右 -121% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 1,590.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    53 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    3,726.4 left arrow 14.2
  • 写入速度，GB/s
    1,590.1 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    522 left arrow 2124

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
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内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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