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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
69
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
52
读取速度,GB/s
4,217.2
10.1
写入速度,GB/s
1,857.7
7.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2176
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
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