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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.9
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
4,217.2
8.9
写入速度,GB/s
1,857.7
8.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1946
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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Kingston 9905743-045.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
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