RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1946
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link