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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
15.1
写入速度,GB/s
1,857.7
11.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2631
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
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