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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
64
左右 64% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
64
读取速度,GB/s
13.4
17.5
写入速度,GB/s
8.0
9.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2205
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
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