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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
57
69
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.2
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
57
读取速度,GB/s
4,217.2
9.2
写入速度,GB/s
1,857.7
7.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2037
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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