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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,723.5
15.5
写入速度,GB/s
2,076.1
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2854
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
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