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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
69
左右 -263% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
19
读取速度,GB/s
3,325.1
19.6
写入速度,GB/s
1,441.2
16.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3165
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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