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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
50
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
31
读取速度,GB/s
5,143.3
17.9
写入速度,GB/s
1,905.1
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3538
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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