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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.9
21.6
写入速度,GB/s
8.6
15.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3684
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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