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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
比较
Kingston 9965516-430.A00G 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
总分
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
7.9
15.9
写入速度,GB/s
7.0
8.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1798
2326
Kingston 9965516-430.A00G 16GB RAM的比较
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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