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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
64
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
64
读取速度,GB/s
9.7
18.0
写入速度,GB/s
7.2
8.5
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2197
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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