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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
14.1
写入速度,GB/s
1,857.7
9.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2583
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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