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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
69
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2583
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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