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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2133U2S 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs AMD R748G2133U2S 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
AMD R748G2133U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2133U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2133U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
2,909.8
15.9
写入速度,GB/s
1,519.2
11.4
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2852
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
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