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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
70
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
70
读取速度,GB/s
2,909.8
15.1
写入速度,GB/s
1,519.2
7.5
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1865
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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