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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
2,909.8
15.4
写入速度,GB/s
1,519.2
11.9
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2865
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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