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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
2,909.8
18.3
写入速度,GB/s
1,519.2
12.9
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3312
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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