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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
2,909.8
16.1
写入速度,GB/s
1,519.2
11.9
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3001
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
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Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
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