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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
2,909.8
14.3
写入速度,GB/s
1,519.2
12.0
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2870
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
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Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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