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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
2,909.8
15.5
写入速度,GB/s
1,519.2
11.2
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3046
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
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