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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
46
左右 -12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
41
读取速度,GB/s
2,909.8
14.0
写入速度,GB/s
1,519.2
13.9
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3100
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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