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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
2,909.8
15.7
写入速度,GB/s
1,519.2
12.8
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3035
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Frequency (Mhz) *
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
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