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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
38
读取速度,GB/s
2,909.8
15.0
写入速度,GB/s
1,519.2
11.5
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3003
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F21UB8GS 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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