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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
38
读取速度,GB/s
2,909.8
14.3
写入速度,GB/s
1,519.2
11.5
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2988
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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