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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
2,909.8
15.6
写入速度,GB/s
1,519.2
11.0
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2855
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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