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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
2,909.8
16.7
写入速度,GB/s
1,519.2
12.3
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3110
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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