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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
3200
左右 8 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
2,909.8
17.2
写入速度,GB/s
1,519.2
15.3
内存带宽,mbps
3200
25600
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3692
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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