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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
46
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
20
读取速度,GB/s
2,909.8
17.1
写入速度,GB/s
1,519.2
14.3
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3088
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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