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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
2,909.8
16.7
写入速度,GB/s
1,519.2
12.3
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3063
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
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Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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