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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
2,909.8
16.7
写入速度,GB/s
1,519.2
12.3
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2933
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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