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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
2,909.8
17.1
写入速度,GB/s
1,519.2
11.4
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2903
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CAS Latency (CL) *
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
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