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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
2,909.8
16.9
写入速度,GB/s
1,519.2
12.5
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3191
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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