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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
2,909.8
17.9
写入速度,GB/s
1,519.2
14.3
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3551
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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