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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
2,909.8
19.4
写入速度,GB/s
1,519.2
13.6
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3519
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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