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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
46
左右 -171% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
17
读取速度,GB/s
2,909.8
21.6
写入速度,GB/s
1,519.2
17.7
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3702
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
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