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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
2,909.8
17.9
写入速度,GB/s
1,519.2
15.9
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3501
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-8GXH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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