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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9965669-018.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
2,909.8
12.1
写入速度,GB/s
1,519.2
8.3
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2460
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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