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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9965669-032.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
2,909.8
16.7
写入速度,GB/s
1,519.2
14.3
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2915
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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