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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
46
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
45
读取速度,GB/s
2,909.8
14.2
写入速度,GB/s
1,519.2
7.6
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2477
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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