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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
2,909.8
14.4
写入速度,GB/s
1,519.2
9.7
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2518
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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