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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KVR24N17S8/4 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
46
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
21
读取速度,GB/s
2,909.8
15.4
写入速度,GB/s
1,519.2
7.1
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2073
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-135.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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