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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
49
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
3200
左右 8 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
49
读取速度,GB/s
2,909.8
15.8
写入速度,GB/s
1,519.2
11.0
内存带宽,mbps
3200
25600
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2534
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