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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
2,909.8
11.8
写入速度,GB/s
1,519.2
5.9
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1984
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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