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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
46
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
39
读取速度,GB/s
2,909.8
15.5
写入速度,GB/s
1,519.2
11.5
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2264
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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