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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
2,909.8
15.5
写入速度,GB/s
1,519.2
8.0
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2414
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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