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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
3200
左右 8 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
42
读取速度,GB/s
2,909.8
12.9
写入速度,GB/s
1,519.2
9.7
内存带宽,mbps
3200
25600
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2735
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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